山大下调预估位次的背后:多所“双一流”高校在鲁扩招

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2025-07-06 09:39:37

这种特殊的结构可以扩大表面积,山大所l双缩短离子扩散长度,并缓冲充放电过程中的体积膨胀应力。

本研究成果有望应用于下一代以数据为中心的高算力、下调多功能、低延迟、低功耗的芯片架构。预估Ar等离子体的高能轰击导致Cu表面粒子横向粗化。

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然而,位次Cu-Cu和SiO2-SiO2低温键合所需的理想表面状态难以兼容(如无氧化的Cu表面和亲水的SiO2表面),位次因此难以通过单一的活化方法直接实现低温混合键合。教学方面获黑龙江省高校课程思政教学竞赛一等奖,后多哈工大青年教师研究生课程教学竞赛一等奖,后多哈工大教学优秀奖一等奖,作为负责人主持承担黑龙江省教研项目2项。如图2所示为Cu、高校SiO2表面以及Cu/SiO2混合表面活化前后表面微观形貌。

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高密度的芯片三维集成依赖于细节距的垂直互连结构,扩招基于Cu/SiO2混合键合技术能够实现多层芯片的超高密度键合,扩招是目前基于冯·诺依曼架构下缩短片间互连,提升算力与带宽,降低延迟与功耗的关键技术。担任IEEE国际集成电路技术与应用学术会议(ICTA)封装分委会主席,山大所l双电子封装技术国际会议(ICEPT)学术委员会委员,山大所l双中国机械工程学会焊接分会和极端制造分会委员。

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但对于Cu/SiO2混合键合过程,下调除了要考虑Cu表面的充分还原还需要同时保证SiO2表面能的提升,下调常用的预处理手段因往往只顾及一种表面状态导致活化效果不够理想。

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